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盛美上海等離子體增強(qiáng)原子層沉積爐管設(shè)備通過初步驗(yàn)證，原子層沉積爐管產(chǎn)品進(jìn)一步強(qiáng)化

2024-12-11 8:00:00

    盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“盛美上海”）（科創(chuàng)板股票代碼：688082），作為一家為半導(dǎo)體前道和先進(jìn)晶圓級(jí)封裝應(yīng)用提供晶圓工藝解決方案的卓越供應(yīng)商，今日宣布，其2024年推出的Ultra Fn A等離子增強(qiáng)型原子層沉積爐管設(shè)備（PEALD）已初步通過中國大陸一家半導(dǎo)體客戶的工藝驗(yàn)證，正在進(jìn)行最后優(yōu)化和為邁入量產(chǎn)做準(zhǔn)備。

    盛美上海還宣布，其于2022年推出的Ultra Fn A熱原子層沉積爐設(shè)備（Thermal ALD）也已成功通過另一家領(lǐng)先的中國大陸客戶的工藝驗(yàn)證，性能參數(shù)比肩同類國際競品，甚至更勝一籌。
 
    盛美上海董事長王暉博士表示：“現(xiàn)代集成電路（IC）的制造過程，越來越依賴具有卓越階梯覆蓋率以及高質(zhì)量的精準(zhǔn)薄膜沉積技術(shù)。應(yīng)對(duì)諸如氮化碳硅、氮化硅薄膜和高低介電常數(shù)薄膜等沉積材料所帶來的復(fù)雜挑戰(zhàn)，需要真正的創(chuàng)新，而盛美上海的研發(fā)團(tuán)隊(duì)?wèi){借其先進(jìn)的原子層沉積（ALD）平臺(tái)和工藝已逐步接近和完成這一目標(biāo)。我們相信，盛美上海的專有差異化設(shè)計(jì)方案能夠解決先進(jìn)三維結(jié)構(gòu)制造中面臨的難題。”
 

    盛美上海的Ultra Fn A ALD立式爐設(shè)備產(chǎn)品包括熱原子層沉積（熱ALD）和等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）兩種配置，可執(zhí)行硬掩模層、阻擋層、間隔層、側(cè)壁保護(hù)層、介質(zhì)填充等多種薄膜沉積任務(wù)，滿足目標(biāo)工藝應(yīng)用的各種需求。這兩種配置均采用六單元系統(tǒng)，可批量處理多達(dá)100片300mm晶圓。該設(shè)備還包括四個(gè)裝載端口系統(tǒng)（裝載區(qū)可控制氧氣濃度）、一個(gè)集成供氣系統(tǒng)（IGS）和一個(gè)原位干法清洗系統(tǒng)，所有設(shè)計(jì)均符合SEMI標(biāo)準(zhǔn)。

    盛美上海的Ultra Fn A PEALD設(shè)備當(dāng)前應(yīng)用沉積氮化硅 (SiN) 薄膜。該機(jī)具采用雙層管設(shè)計(jì)以及氣流平衡技術(shù)，能夠顯著提升晶圓內(nèi)（WIW）和晶圓間（WTW）的均勻性。通過采用等離子增強(qiáng)技術(shù)，該設(shè)備還可有效降低器件的熱預(yù)算。此外，通過微調(diào)前驅(qū)體在前置單元中的存儲(chǔ)和釋放量，能夠達(dá)成控制器件的關(guān)鍵尺寸和圖案輪廓。

    盛美上海的Ultra Fn A碳氮化硅（SiCN）熱模式原子層沉積爐管設(shè)備已通過國內(nèi)領(lǐng)先的集成電路制造客戶的驗(yàn)證。該設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)超薄、無空隙的薄膜沉積，并且能夠精確控制薄膜厚度，達(dá)到原子級(jí)別的沉積精度。同時(shí)，該設(shè)備還能夠?qū)崿F(xiàn)精確的碳摻雜，從而提升薄膜的硬度和耐腐蝕性。此外，該設(shè)備還具有內(nèi)置的干法清潔功能，能夠確保顆粒的穩(wěn)定性。