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盛美上海推出Ultra C bev-p面板級邊緣刻蝕設(shè)備

2024-9-26 10:23:07

    盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡稱“盛美上海”)(科創(chuàng)板股票代碼:688082),作為一家為半導(dǎo)體前道和先進(jìn)晶圓級封裝應(yīng)用提供晶圓工藝解決方案的卓越供應(yīng)商,于今日推出用于扇出型面板級封裝(FOPLP)應(yīng)用的新型Ultra C bev-p面板邊緣刻蝕設(shè)備。

    該設(shè)備專為銅相關(guān)工藝中的邊緣刻蝕和清洗而設(shè)計,能夠同時處理面板的正面和背面的邊緣刻蝕,顯著提升了工藝效率和產(chǎn)品可靠性。

    盛美上海董事長王暉博士表示:我們認(rèn)為扇出型面板級封裝的地位日益凸顯,原因在于該項技術(shù)能夠滿足現(xiàn)代電子應(yīng)用不斷發(fā)展的需求,在集成密度、成本效率和設(shè)計靈活性方面具有優(yōu)勢。得益于在濕法工藝方面的深厚技術(shù)專長,盛美上海新型Ultra C bev-p設(shè)備性能卓越,屬于首批可用于面板級應(yīng)用的雙面邊緣刻蝕設(shè)備。我們期待Ultra C bev-p與今年推出的Ultra ECP ap-p面板級水平式電鍍設(shè)備和Ultra C vac-p負(fù)壓清洗設(shè)備共同推動具有高精度特性的大型面板先進(jìn)封裝行業(yè)進(jìn)步以及扇出型面板級封裝技術(shù)市場發(fā)展。”
 

    Ultra C bev-p設(shè)備采用專為邊緣刻蝕和銅殘留清除而設(shè)計的濕法刻蝕工藝,在扇出型面板級封裝技術(shù)中起到至關(guān)重要的作用。該工藝對于有效避免電氣短路、最大限度降低污染風(fēng)險、保持后續(xù)工藝步驟的完整性至關(guān)重要,有助于確保器件經(jīng)久耐用。該設(shè)備的高效性主要得益于盛美上海的專利技術(shù),以應(yīng)對方形面板襯底所帶來的獨特挑戰(zhàn)。
 

    與傳統(tǒng)的圓形晶圓不同,盛美上海的獨特設(shè)計可以實現(xiàn)精確的去邊工藝,確保在翹曲面板的加工過程僅限于邊緣區(qū)域。這一專利技術(shù)對于保持刻蝕工藝的完整性以及提供先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)所需的高性能和可靠性至關(guān)重要。
 

    Ultra C bev-p 專為面板襯底而設(shè)計,可與有機(jī)面板、玻璃面板和粘合面板兼容。Ultra C bev-p能有效管理面板的正面和背面,適用尺寸由510mm x 515mm至600mm x 600mm不等,厚度在0.5mm至3mm之間。該設(shè)備可處理最大10mm的翹曲,確保最佳工藝條件。
 

· 高級面板處理:Ultra C bev-p配備自動操作裝置,確保搬運和傳送面板過程的安全性和精確性。

· 高效除銅:Ultra C bev-p采用稀硫酸和過氧化物(DSP)(即:去離子水、硫酸和過氧化氫的組合),可有效去除銅。此外,該設(shè)備采用去離子水進(jìn)行清洗,并利用N2進(jìn)行最終干燥,確保表面清潔干燥。

· 高產(chǎn)能:Ultra C bev-p能夠運行多達(dá)六個腔體,每小時可處理40個面板 (PPH),高效實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

    該系統(tǒng)的邊緣控制精度為±0.2mm,控制范圍為0-20mm。平均故障間隔時間(MTBF)為500小時,正常運行時間達(dá)95%,能夠提供卓越的可靠性、穩(wěn)定的性能和高運行效率。