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2024-9-26 10:23:07
盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“盛美上海”）（科創(chuàng)板股票代碼：688082），作為一家為半導(dǎo)體前道和先進(jìn)晶圓級(jí)封裝應(yīng)用提供晶圓工藝解決方案的卓越供應(yīng)商，于今日推出用于扇出型面板級(jí)封裝（FOPLP）應(yīng)用的新型Ultra C bev-p面板邊緣刻蝕設(shè)備。
該設(shè)備專為銅相關(guān)工藝中的邊緣刻蝕和清洗而設(shè)計(jì)，能夠同時(shí)處理面板的正面和背面的邊緣刻蝕，顯著提升了工藝效率和產(chǎn)品可靠性。
盛美上海董事長(zhǎng)王暉博士表示：“我們認(rèn)為扇出型面板級(jí)封裝的地位日益凸顯，原因在于該項(xiàng)技術(shù)能夠滿足現(xiàn)代電子應(yīng)用不斷發(fā)展的需求，在集成密度、成本效率和設(shè)計(jì)靈活性方面具有優(yōu)勢(shì)。得益于在濕法工藝方面的深厚技術(shù)專長(zhǎng)，盛美上海新型Ultra C bev-p設(shè)備性能卓越，屬于首批可用于面板級(jí)應(yīng)用的雙面邊緣刻蝕設(shè)備。我們期待Ultra C bev-p與今年推出的Ultra ECP ap-p面板級(jí)水平式電鍍?cè)O(shè)備和Ultra C vac-p負(fù)壓清洗設(shè)備共同推動(dòng)具有高精度特性的大型面板先進(jìn)封裝行業(yè)進(jìn)步以及扇出型面板級(jí)封裝技術(shù)市場(chǎng)發(fā)展。”
Ultra C bev-p設(shè)備采用專為邊緣刻蝕和銅殘留清除而設(shè)計(jì)的濕法刻蝕工藝，在扇出型面板級(jí)封裝技術(shù)中起到至關(guān)重要的作用。該工藝對(duì)于有效避免電氣短路、最大限度降低污染風(fēng)險(xiǎn)、保持后續(xù)工藝步驟的完整性至關(guān)重要，有助于確保器件經(jīng)久耐用。該設(shè)備的高效性主要得益于盛美上海的專利技術(shù)，以應(yīng)對(duì)方形面板襯底所帶來(lái)的獨(dú)特挑戰(zhàn)。
與傳統(tǒng)的圓形晶圓不同，盛美上海的獨(dú)特設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)精確的去邊工藝，確保在翹曲面板的加工過(guò)程僅限于邊緣區(qū)域。這一專利技術(shù)對(duì)于保持刻蝕工藝的完整性以及提供先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)所需的高性能和可靠性至關(guān)重要。
Ultra C bev-p 專為面板襯底而設(shè)計(jì)，可與有機(jī)面板、玻璃面板和粘合面板兼容。Ultra C bev-p能有效管理面板的正面和背面，適用尺寸由510mm x 515mm至600mm x 600mm不等，厚度在0.5mm至3mm之間。該設(shè)備可處理最大10mm的翹曲，確保最佳工藝條件。
· 高級(jí)面板處理：Ultra C bev-p配備自動(dòng)操作裝置，確保搬運(yùn)和傳送面板過(guò)程的安全性和精確性。
· 高效除銅：Ultra C bev-p采用稀硫酸和過(guò)氧化物（DSP）（即：去離子水、硫酸和過(guò)氧化氫的組合），可有效去除銅。此外，該設(shè)備采用去離子水進(jìn)行清洗，并利用N2進(jìn)行最終干燥，確保表面清潔干燥。
· 高產(chǎn)能：Ultra C bev-p能夠運(yùn)行多達(dá)六個(gè)腔體，每小時(shí)可處理40個(gè)面板 (PPH)，高效實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
該系統(tǒng)的邊緣控制精度為±0.2mm，控制范圍為0-20mm。平均故障間隔時(shí)間（MTBF）為500小時(shí)，正常運(yùn)行時(shí)間達(dá)95%，能夠提供卓越的可靠性、穩(wěn)定的性能和高運(yùn)行效率。
