盛美步入邊緣刻蝕領(lǐng)域，新產(chǎn)品支持3D NAND、DRAM和先進(jìn)邏輯制造工藝
2021-8-16 13:03:53
作為半導(dǎo)體制造與先進(jìn)晶圓級(jí)封裝領(lǐng)域中的卓越設(shè)備供應(yīng)商，盛美半導(dǎo)體設(shè)備今日公布的邊緣濕法刻蝕設(shè)備，進(jìn)一步拓寬了盛美濕法設(shè)備的覆蓋面。該新設(shè)備使用濕法刻蝕方法來(lái)去除晶圓邊緣的各種電介質(zhì)、金屬和有機(jī)材料薄膜，以及顆粒污染物。這種方法很大限度地減少了邊緣污染對(duì)后續(xù)工藝步驟的影響，提高了芯片制造的良率，同時(shí)整合背面晶圓清洗的功能，進(jìn)一步優(yōu)化了工藝和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)。
盛美半導(dǎo)體設(shè)備董事長(zhǎng)王暉表示：“在IC制造工藝?yán)?，特別是在3D NAND、DRAM和先進(jìn)邏輯器件工藝中，晶圓邊緣剝離、雜質(zhì)顆粒和殘留物會(huì)導(dǎo)致晶圓邊緣良率降低，現(xiàn)在這個(gè)問(wèn)題的解決對(duì)于優(yōu)化整體工藝良率變得越來(lái)越重要。我們開(kāi)發(fā)的邊緣濕法刻蝕清洗設(shè)備可有效解決這種邊緣良率降低的問(wèn)題，這款新產(chǎn)品也把盛美在濕法工藝的專業(yè)技術(shù)拓展到邊緣刻蝕應(yīng)用領(lǐng)域。與干法相比，該產(chǎn)品不僅具備明顯的性能優(yōu)勢(shì)，而且可以顯著減少化學(xué)品的用量。更值得一提的是，盛美自主研發(fā)的專利技術(shù)可做到更精準(zhǔn)高效的晶圓對(duì)準(zhǔn)，以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)邊緣刻蝕，從而提高良率及產(chǎn)能。”
盛美的邊緣刻蝕產(chǎn)品支持多種器件和工藝，包括3D NAND、DRAM和先進(jìn)邏輯工藝。
一直以來(lái)，制造商都是使用干法刻蝕工藝來(lái)解決邊緣薄膜和污染物去除的問(wèn)題。濕法刻蝕區(qū)別于干法工藝，它避免了產(chǎn)生電弧和硅損傷的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)還能通過(guò) 1-7 毫米可變的晶圓邊緣薄膜刻蝕/切割精度、良好的均勻性、可控的刻蝕選擇性和較低的化學(xué)品消耗量，來(lái)降低總體擁有成本。
盛美首臺(tái)用于量產(chǎn)的邊緣刻蝕產(chǎn)品將于2021年第三季度交付給一家中國(guó)的邏輯器件制造商。
