這三款Ultra C系列新產(chǎn)品的目標(biāo)市場是先進(jìn)集成電路領(lǐng)域，功率器件領(lǐng)域和先進(jìn)晶圓級封裝（WLP）領(lǐng)域。晶圓背面清洗Ultra C b和槽式濕法清洗Ultra C wb設(shè)備現(xiàn)已在中國先進(jìn)半導(dǎo)體廠的量產(chǎn)中證明了它們的優(yōu)勢。公司首臺刷洗設(shè)備Ultra C s也已在2020年第一季度交付中國客戶，在驗(yàn)收合格后即可確認(rèn)收入。
晶圓背面清洗設(shè)備
Ultra C b
Ultra C b是一款高性價比的晶圓背面清洗設(shè)備，具有良好的顆粒管控能力和刻蝕均勻性控制能力，該設(shè)備三大關(guān)鍵應(yīng)用分別為晶圓背面清洗工藝，如金屬去除或RCA清洗；晶圓背面濕法硅刻蝕工藝，如晶圓背面濕法減薄或濕法硅通孔露出（TSV reveal）；以及晶圓回收工藝中的多晶硅層、氧化層和氮化層等膜層剝離去除。該設(shè)備可處理高翹曲度晶圓，適用于處理200毫米或300毫米超薄晶圓和鍵合晶圓。
自動槽式清洗設(shè)備Ultra C wb，依托盛美研發(fā)的槽式與單片清洗集成設(shè)備Ultra C Tahoe的先進(jìn)槽式技術(shù)基礎(chǔ)而開發(fā)，可以進(jìn)行多達(dá)50片晶圓的批量清洗。自動槽式清洗設(shè)備的關(guān)鍵應(yīng)用為爐管前清洗，RCA清洗，光阻去除，氧化層刻蝕，氮化硅去除，以及晶圓回收工藝中前段FEOL多晶硅/氧化硅層剝離去除，和后段BEOL金屬層剝離去除。該設(shè)備可針對不同的應(yīng)用配置不同的化學(xué)藥液槽，如硫酸，磷酸，氫氟酸(HF)，緩沖氧化物刻蝕液(BOE)， SC1和SC2等化學(xué)藥液槽。晶圓依次在化學(xué)藥液槽中浸泡，經(jīng)去離子水(DI)沖洗，最后在ATOMO干燥模塊中以汽化的異丙醇(IPA)進(jìn)行干燥，干燥后無水痕。該設(shè)備的模塊化設(shè)計和較小的占地面積，使其可靈活配置。槽式清洗設(shè)備Ultra C wb可高效地回收使用化學(xué)藥水，節(jié)能減排。該設(shè)備可運(yùn)用于200毫米或者300毫米的晶圓清洗應(yīng)用。
刷洗設(shè)備
Ultra C s
新型刷洗設(shè)備Ultra C s以盛美在晶圓級封裝領(lǐng)域（WLP）已驗(yàn)證成功的刷洗技術(shù)為基礎(chǔ)，延伸應(yīng)用于集成電路制造領(lǐng)域。其配備的軟刷可以采用精準(zhǔn)的壓力控制以清洗晶圓邊緣及背面的顆粒。該設(shè)備配有先進(jìn)的二流體（氣體和液體）噴淋清洗技術(shù)，還可選配盛美自己研發(fā)的空間交變相位移（SAPS™）兆聲波技術(shù)以滿足客戶更高的需求——更強(qiáng)勁的小顆粒去除能力。模塊化系統(tǒng)可配置8個腔體，用于集成電路制造領(lǐng)域300毫米的晶圓清洗，其中四個腔體用于正面清洗工藝，四個腔體用于背面清洗工藝。該刷洗設(shè)備性價比高，靈活性強(qiáng)、占地面積小、產(chǎn)能高。
