SAPS兆聲波清洗設(shè)備

應(yīng)用于集成電路先進技術(shù)節(jié)點的平面和圖形晶圓

盛美特有專利技術(shù)(中國發(fā)明專利;專利號:ZL 2009 1 0050834.2)——半導(dǎo)體襯底的清洗方法和裝置（SAPS），通過控制兆聲波清洗裝置與晶圓的間距隨兆聲波相位的變化，來實現(xiàn)兆聲波在晶圓表面的均勻分布，以達到最優(yōu)化的清洗效果。

空間交變相位移晶圓清洗應(yīng)用領(lǐng)域

• 深溝道清洗

• CMP 后清洗

• Hard Mask 沉積后清洗

• Contact/Via 刻蝕后清洗

• Barrier Metal沉積前清洗

• 晶圓回收清洗

• EPI沉積前清洗

• ALD沉積前清洗

特性和規(guī)格（Ultra C SAPS II）

最多可配至8個腔體，產(chǎn)能225WPH

雙面清洗，最多可配5種清洗藥液, 如. DHF SC1, SC2, DIO3, BOE, Solvent, HF/HNO3…

最多可回收兩種藥液

集成式藥液供給模塊

設(shè)備體積?。?.35m x 5.53m x 2.85m （寬x長x高）

具有所有Ultra C SAPS II設(shè)備的功能

最多可配至12個腔體, 產(chǎn)能375 WPH

集成式化學(xué)藥液供給模塊

可配高溫IPA干燥的技術(shù)

設(shè)備體積?。?.35m x 6.7m x 2.85m （寬x長x高）