盛美上海推出新型化合物半導(dǎo)體系列設(shè)備加強(qiáng)濕法工藝產(chǎn)品線
2022-1-27 13:17:43
盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱盛美上海)（科創(chuàng)板股票代碼：688082），一家為半導(dǎo)體前道和先進(jìn)晶圓級封裝（WLP）應(yīng)用提供晶圓工藝解決方案的卓越設(shè)備供應(yīng)商，今推出了支持化合物半導(dǎo)體制造的綜合設(shè)備系列。公司的150-200 毫米兼容系統(tǒng)將前道集成電路濕法系列產(chǎn)品、后道先進(jìn)晶圓級封裝濕法系列產(chǎn)品進(jìn)行拓展，可支持化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用，包括砷化鎵 (GaAs)、氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等工藝?；衔锇雽?dǎo)體濕法工藝產(chǎn)品線包括涂膠設(shè)備、顯影設(shè)備、光阻去膠設(shè)備、濕法蝕刻設(shè)備、清洗設(shè)備和金屬電鍍設(shè)備，并自動兼容平邊或缺口晶圓。
“隨著不同市場的需求增長，化合物半導(dǎo)體行業(yè)正在迅猛發(fā)展。” 盛美上海董事長王暉博士表示，“通過對這個行業(yè)的調(diào)研，我們意識到，應(yīng)利用現(xiàn)有的前道集成電路濕法和后道先進(jìn)晶圓級封裝濕法系列產(chǎn)品中重要的專業(yè)知識和技術(shù)，來提供滿足化合物半導(dǎo)體技術(shù)要求的高性價比、高性能產(chǎn)品。我們認(rèn)為，化合物半導(dǎo)體設(shè)備市場為盛美上海提供了重要的增長機(jī)會，因為 GaAs、GaN 和 SiC 器件正成為未來電動汽車、5G 通信系統(tǒng)和人工智能解決方案日益不可或缺的一部分。”
盛美上海的化合物半導(dǎo)體設(shè)備系列
Ultra C 碳化硅清洗設(shè)備：盛美上海的Ultra C碳化硅清洗設(shè)備采用硫酸雙氧水混合物 (SPM) 進(jìn)行表面氧化，并采用氫氟酸 (HF) 去除殘留物，進(jìn)行碳化硅晶圓的清洗。該設(shè)備還集成盛美上海的SAPS 和 Megasonix™ 技術(shù)實現(xiàn)更全面更深層次的清洗。Ultra C 碳化硅清洗設(shè)備可提供卓越的清潔度，達(dá)到每片晶圓顆粒≤10ea0.3um，金屬含量＜ 1E10atoms/cm3水平。該設(shè)備每小時可清洗超過 70 片晶圓，將于 2022 年下半年上市。
Ultra C 濕法刻蝕設(shè)備：可為砷化鎵和磷化銦鎵 (InGaP) 工藝提供＜2% 的均勻度，＜10% 的共面度及＜3% 的重復(fù)度。Ultra C 濕法刻蝕設(shè)備可提供卓越的化學(xué)溫度控制、刻蝕均勻性。該設(shè)備將于 2022 年第三季度交付給某重要客戶，并由其進(jìn)行測試。
Ultra ECP GIII 1309 設(shè)備：盛美上海的Ultra ECP GIII 1309 設(shè)備集成了預(yù)濕和后清洗腔，支持用于銅、鎳和錫銀的銅柱和焊料，以及重分布層 (RDL) 和凸點(diǎn)下金屬化 (UBM) 工藝。設(shè)備實現(xiàn)了晶圓內(nèi)和模內(nèi)小于3%的均勻度和小于2%的重復(fù)度。該設(shè)備已于 2021 年中交付給客戶，并滿足客戶技術(shù)要求。
Ultra ECP GIII 1108 設(shè)備：Ultra ECP GIII 1108 設(shè)備提供金凸塊、薄膜和深通孔工藝，集成預(yù)濕和后清洗腔。設(shè)備采用盛美上海久經(jīng)考驗的柵板技術(shù)進(jìn)行深孔電鍍，以提高階梯覆蓋率。它可達(dá)到晶圓內(nèi)和模內(nèi)＜ 3%的均勻度和＜ 2%的重復(fù)度。腔體和工藝槽體經(jīng)過專門設(shè)計，可避免金電鍍液的氧化，且工藝槽體具有氮?dú)獯祾吖δ?，可減少氧化。該設(shè)備已于去年年底交貨給關(guān)鍵客戶。
Ultra C ct 涂膠設(shè)備：盛美上海的Ultra C ct涂膠設(shè)備采用二次旋轉(zhuǎn)涂膠技術(shù)，可實現(xiàn)均勻涂膠。設(shè)備擁有眾多自研技術(shù)，包括精確涂膠控制、自動清洗功能、冷熱板模塊以及每個腔體的獨(dú)立過程控制功能。
Ultra C dv 顯影設(shè)備：在化合物半導(dǎo)體工藝中，盛美上海的Ultra C dv 顯影設(shè)備可進(jìn)行曝光后烘烤、顯影和硬烤的關(guān)鍵步驟。設(shè)備利用盛美上海的自研技術(shù)，可按要求實現(xiàn)+/-0.03 LPM的流量和 +/-0.5 攝氏度的溫度控制。
Ultra C s刷洗設(shè)備：Ultra C s 刷洗設(shè)備以盛美上海先進(jìn)的濕法清洗技術(shù)為基礎(chǔ)，實現(xiàn)優(yōu)秀的污染物去除效果。該設(shè)備通過氮?dú)忪F化二流體清洗或高壓清洗實現(xiàn)高性能，以更有效地清洗小顆粒。此外，設(shè)備還可兼容盛美上海自創(chuàng)的兆聲波清洗技術(shù)，以確保優(yōu)良的顆粒去除效率（PRE），且不會損壞精細(xì)的圖形結(jié)構(gòu)。
Ultra C pr 濕法去膠設(shè)備：盛美上海的Ultra C pr濕法去膠設(shè)備利用槽式浸泡和單片工藝，確保高效地進(jìn)行化合物半導(dǎo)體去膠。該設(shè)備最近由一家全球領(lǐng)先的整合元件制造商（IDM）訂購，用于去除光刻膠，這進(jìn)一步驗證了盛美上海的技術(shù)優(yōu)勢。
Ultra SFP無應(yīng)力拋光設(shè)備：Ultra SFP 為傳統(tǒng)的化學(xué)機(jī)械拋光在硅通孔 (TSV) 工藝和扇出型晶圓級封裝 (FOWLP)應(yīng)用提供了一種環(huán)保替代方案。在 TSV 應(yīng)用中，盛美上海的無應(yīng)力拋光 (SFP) 系統(tǒng)可通過運(yùn)用自研的電拋光技術(shù)去除低至 0.2µm 的銅覆蓋層，再使用傳統(tǒng)的 CMP 進(jìn)一步去除剩余銅至阻擋層，并通過濕法刻蝕去除阻擋層，從而顯著降低耗材成本。對于 FOWLP，相同的工藝可以克服由厚銅層應(yīng)力引起的晶圓翹曲，并應(yīng)用于RDL中銅覆蓋層并平坦化 。
